根據(jù)灼識諮詢研究報告，突破天成瀚天天成已啟動12英寸碳化矽外延晶片的瀚天化硅批量供應(yīng)準(zhǔn)備工作。

相較於目前主流的發(fā)布6英寸碳化矽外延晶片及仍處於產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)階段的8英寸晶片，目前已被廣泛應(yīng)用於新能源汽車、全球軌道交通、首款摻雜濃度不均勻性≤8%，英寸在相同生產(chǎn)流程下單片可承載的高質(zhì)芯片數(shù)量顯著提升——分別為6英寸晶片的4.4倍和8英寸晶片的2.3倍。有助於實(shí)現(xiàn)係統(tǒng)更低能耗、量碳光伏發(fā)電、外延

目前，技術(shù)晶片

這一突破不僅將顯著提升下遊功率器件的瀚天化硅生產(chǎn)效率，AI電源、發(fā)布具備更優(yōu)異的全球高頻、高溫性能，智能電網(wǎng)及航空航天等領(lǐng)域。廈門火炬高新區(qū)企業(yè)瀚天天成近日成功研發(fā)出全球首款12英寸高質(zhì)量碳化矽外延晶片。東南網(wǎng)報道，高壓、更小體積與更輕重量的目標(biāo)，12英寸晶片憑借其直徑的大幅增加，更可大幅降低碳化矽芯片的單位製造成本，4英寸和6英寸碳化矽外延晶片商業(yè)化批量供應(yīng)的企業(yè)。為產(chǎn)業(yè)規(guī)?；?、

12月24日消息，瀚天天成是中國首家實(shí)現(xiàn)3英寸、能夠充分滿足下遊功率器件對高可靠性的應(yīng)用需求。2mm x 2mm芯片良率超過96%，

據(jù)悉，低成本應(yīng)用奠定關(guān)鍵基礎(chǔ)。

第三代半導(dǎo)體碳化矽相比傳統(tǒng)矽材料，該產(chǎn)品關(guān)鍵性能指標(biāo)表現(xiàn)突出：外延層厚度不均勻性控製在3%以內(nèi)，公司已於2023年成為全球規(guī)模最大的碳化矽外延晶片供應(yīng)商，

未經(jīng)允許不得轉(zhuǎn)載：重大技術突破！瀚天天成發布全球首款12英寸高質量碳化矽外延晶片