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據(jù)悉，瞄準隨著人工智能產(chǎn)業(yè)帶動存儲需求快速上升，存儲D產(chǎn)

2月3日消息，需求星三星擬從今年第二季度起擴大V9產(chǎn)能，力士平澤第一園區(qū)（P1）也在籌備相關(guān)投資。幅提月產(chǎn)能僅約1.5萬片晶圓。升尖

業(yè)內(nèi)消息顯示，瞄準

三星已於2024年9月啟動280層V9 NAND的存儲D產(chǎn)量產(chǎn)，預計明年V9產(chǎn)品在生產(chǎn)中的需求星占比將顯著提升。隨著設備逐步導入，力士相關(guān)計劃一再推遲。幅提

SK海力士方麵也在積極推進先進NAND的升尖產(chǎn)能擴張。由於資源長期優(yōu)先投向DRAM，瞄準與目前約2萬片晶圓的存儲D產(chǎn)水平相比，當前業(yè)內(nèi)討論的需求星轉(zhuǎn)換投資規(guī)模約為月產(chǎn)4–5萬片晶圓。三星與SK海力士均計劃在今年第二季度推進最尖端NAND的“轉(zhuǎn)換投資”。過去兩家公司的設備投資幾乎全部集中在DRAM，

半導體業(yè)內(nèi)人士透露，

接下來，同時，而目前NAND市場也已出現(xiàn)供應緊張的跡象。此次擴產(chǎn)幅度顯著。此前出於市場需求考慮，三星原計劃在第一季度啟動西安X2產(chǎn)線的V9轉(zhuǎn)換，但目前日程已推遲至第二季度。公司計劃於今年第二季度啟動321層第9代NAND的轉(zhuǎn)換投資，

行業(yè)觀察指出，目標是在清州M15工廠實現(xiàn)月產(chǎn)約3萬片晶圓的V9產(chǎn)能。重點將放在中國西安的X2產(chǎn)線。V9 NAND預計將從明年起正式進入量產(chǎn)加速階段。而鄰近的X1產(chǎn)線向第8代NAND的轉(zhuǎn)換已基本完成。但目前產(chǎn)能規(guī)模仍較小，目前該產(chǎn)線仍主要生產(chǎn)第6至第7代舊款NAND，三星與SK海力士均在為先進NAND需求的持續(xù)增長做提前布局。三星僅在平澤園區(qū)部署了初步量產(chǎn)線。三星電子和SK海力士在尖端NAND領域的投資即將全麵啟動。兩家公司近期已開始敲定具體的擴產(chǎn)方案。據(jù)媒體報道，

此前，

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