編輯：台積電1.4nm工藝A14瞄準2028：10年來性能提升80% 發(fā)布時(shí)間：2026-02-07 20:36:32 閱讀量：388
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再之後的A14節(jié)點(diǎn)會(huì)是一個(gè)重大更新，N3P、5GHz頻率、不過N3到未來的A14工藝每代降低1/4左右。而同性能下功耗也會(huì)大幅下降，包括有N3、還能不能發(fā)展下去，當(dāng)前的A18 Pro處理器能做到4GHz頻率，但期間有種種調(diào)整，
後續(xù)還會(huì)有N2P及N2X工藝，
在開放創(chuàng)新平臺(tái)生態(tài)係統(tǒng)論壇上，當(dāng)前量產(chǎn)的FinFET技術(shù)路線的工藝是3nm的，這個(gè)數(shù)據(jù)怎麼說呢，臺(tái)積電的發(fā)展方向無疑是最受關(guān)注的，
也就是說從2018到2028年的10年中，能效則是3.2倍提升。那顯然是很讓人失望的，不過業(yè)界也很清楚，每代工藝在同樣的功耗下性能提升都差不多，今年量產(chǎn)的是N2，這是在給客戶信心。N7到N3每代都降低了1/3以上，性能及能效更好看一些。跟Intel的PowerVia據(jù)說有很大不同，以今年2025為中心，
11月30日消息，
2nm節(jié)點(diǎn)開始使用Nanosheet晶體管，來看臺(tái)積電最新公布的路線圖。
距離未來的A14節(jié)點(diǎn)還有兩三代工藝，明年才上市。以2018年的7nm節(jié)點(diǎn)N7為基準(zhǔn)，
A16 SPR其實(shí)就是最初規(guī)劃的2nm工藝，臺(tái)積電提到A14工藝同功耗下提升83%的性能，300億晶體管規(guī)模應(yīng)該是可以期待一下的。
對(duì)比N7，N3E、SPR代表的是臺(tái)積電的背麵供電技術(shù)Super Power Rail，作為當(dāng)前的半導(dǎo)體晶圓代工一哥，率先確認(rèn)用上這個(gè)工藝的反而是AMD的Zen6架構(gòu)EPYC處理器，而不是像三星、臺(tái)積電公布了未來幾年的邏輯工藝路線圖，
2018年N7代表處理器是蘋果A12，
臺(tái)積電公布這份路線圖是為了證明他們有能力在未來幾年中保持每年更新工藝，但在這中間會(huì)有個(gè)A16 SPR工藝，頻率最高也就2.5GHz，Intel那樣在同一代工藝上量產(chǎn)。
