三星宣布突破10nm DRAM技術 新型內存容量、性能有望大提
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三星此次推出的星宣型內(nèi)“高耐熱非晶氧化物半導(dǎo)體晶體管”具備極佳的高溫穩(wěn)定性，因物理極限而麵臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。布突可在高達(dá)攝氏550度的術(shù)新條件下保持性能不衰退，測試結(jié)果顯示，存容其漏極電流表現(xiàn)穩(wěn)定，量性
預(yù)計搭載該技術(shù)的星宣型內(nèi)存儲芯片將有助於三星在高密度內(nèi)存市場保持競爭力，在長期老化測試中也保持了良好的布突可靠性。目前仍處於研究階段。術(shù)新能夠?qū)崿F(xiàn)在10納米以下製程節(jié)點生產(chǎn)DRAM。存容並有望於2026年起陸續(xù)應(yīng)用於終端設(shè)備中。量性
星宣型內(nèi)星宣型內(nèi)三星宣布與三星先進(jìn)技術(shù)研究所已成功開發(fā)出一種新型晶體管，布突三星表示，術(shù)新?lián)he 存容Elec報道，且可與單片CoP DRAM架構(gòu)集成。量性
這一突破有望解決移動內(nèi)存進(jìn)一步微縮所麵臨的關(guān)鍵物理挑戰(zhàn)，該技術(shù)計劃應(yīng)用於未來的0a與0b級別DRAM產(chǎn)品中，
傳統(tǒng)DRAM製程的微縮在進(jìn)入10納米以下節(jié)點後，溝道長度僅為100納米，
12月17日消息，從而適應(yīng)先進(jìn)製造工藝的要求。
該晶體管采用垂直溝道設(shè)計，為未來設(shè)備帶來更高的容量與性能表現(xiàn)。
